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太阳电池般制成P+/N型结构或N+/P型结构,个符号,即P+和N+,表示太阳电池背面衬底半导体材料的导电类型。
太阳电池的电性能与制造电池所用的半导体材料的特性有关。在太阳光照射时,太阳电池输出电压的极性,P型一侧电极为正,N型一侧电极为负。
当太阳电池作为电源与外电路连接时,太阳电池在正向状态下工作。当太阳电池与其他电源联合使用时,如果外电源的正极与太阳电池的P电极连接,负极与太阳电池的N电极连接,则外电源向太阳电池提供正向偏压;如果外电源的正极与太阳电池的N电极连接,负极与大阳电池的P电极连接,则外电源向太阳电池提供反向偏压。
太阳电池的电路及等效电路RL为电池的外值教电阻。当RL.=0时,所测的电流为电池的短路电流Isc,即将太阳电池置于标准光源中的兴财下,在输出端短路时,流过太阳电池两端的电流。测量短路电流的方法是,用内阻小于10的电流表接在太阳电池的两端。Isc 与太阳电池的面积大小有关,面积越大, Isc值越大。一般来说,lem太阳电池的Isc值约为16~ 30mA.同一块太阳电池,其Isc值与人射光的辐照度成正比;当环境温度升高时,Isc值略有上升,一般温度每升高1C. Isc值约上升78uA。当RL-0o时,所测得的电压为电池的开路电压Voc (把太阳电池置于100mW/cm2的光源照射下,在两端开路时,太阳电池的输出电压值,叫做太阳电池的开路电压),其值可用高内阻的直流毫伏计测量。太阳电池的开路电压,与光谱辐照度有关,与电池面积的大小无关。在100mW/cm?的太阳光谱辐照度下,单晶硅太阳电池的开路电压为450~ 600mV,高可达690mV。当入射光谱辐照度变化时,太阳电池的开路电压与入射光谱辐照度的对数成正比;环境温度升高时,太阳电池的开路电压值将下降,一般温度每上升1℃,Voc值约下降2~3mV。Ip (二极管电流)为通过P-N结的总扩散电流,其方向与Isc相反。R、为串联电阻,它主要由电池的体电阻、表面电阻、电极导体电阻和电极与硅表面间接触电阻所组成。Rsn为旁路电阻,由硅片边缘不清洁或体内的缺陷引起的。一个理想的太阳电池,R,很小,而Rsh很大。由于R,和Rsh分别串联与并联在电路中,所以在进行理想电路计算时,它们都可以忽略不计。
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